Samsung SSD M.2 1TB MZ-N5E1T0BW

Co je 3D V-NAND a jak se liší od stávající technologie? Jedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu aodolnosti dnešní běžné planární architektury NAND. 3D V-NAND totiž využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby zmenšovala rozměry buněk při snaze vměstnat je do pevně daného horizontálního prostoru. Ve výsledku poskytuje technologie vyšší hustotu a lepší výkon na menší ploše. Optimalizujte práci s počítačem pomocí technologie TurboWrite bez konkurenční rychlosti čtení Dosáhněte absolutního výkonu čtení / zápisu, abyste díky technologii TurboWrite od společnosti Samsung maximalizovali své pohodlí při práci s počítačem. V porovnání s modelem 840 EVO je model 850 EVO pro uživatele celkově rychlejší o přibližně 13%*, částečně díky dvojnásobné rychlosti náhodného zápisu**. Model 850 EVO má ve své třídě špičkový výkon rychlosti sekvenčního čtení a zápisu 540 MB/s, respektive 520 MB/s. Užijte si optimalizovaný náhodný výkon scénářů využití klientského PC ve všech hloubkách fronty (QD). Zvětšete paměťové úložiště díky režimu RAPID Model Samsung 850 EVO M.2 je rychlým počítačem. Díky nejnovějšímu softwaru Samsung Magician můžete aktivovat režim RAPID, který čerpá nevyužitou paměť PC (DRAM) a využívá ji jako úložiště vyrovnávací paměti o velikosti až 25% celkové kapacity DRAM. V režimu RAPID jsou pak díky dramatickému zvětšení úložiště rychlosti zpracování dat a náhodné QD až dvojnásobně vyšší*. Odolnost a spolehlivost podpořená technologií 3D V-NAND Model 850 EVO má zaručenou odolnost a spolehlivost díky dvojnásobnému celkovému počtu zapsaných bajtů (TBW) v porovnání s předchozí generací modelu 840 EVO*, a kromě toho v tomto segmentu nejlepší 5leté záruce. Díky vylepšení výkonu až o 30% umožňuje model 850 EVO trvalý výkon** a je proto jedním z nejspolehlivějších úložných řešení. Energetická účinnost zajištěná pomocí 3D V-NAND Model 850: Řada Evo přinesla u modelu 840 EVO funkci režim spánku pro 2 mW zařízení a nyní přináší model 850 EVO nejmodernější technologii 3D V-NAND, která spotřebovává o 50% méně energie než planární technologie 2D NAND a umožňuje tak o 25% větší energetickou účinnost v průběhu operací zápisu*. Technické specifikace Aplikace: Klientské PC Kapacita: 1 TB (1 GB = 1 miliarda bajtů podle IDEMA) * Skutečná využitelná kapacita může být nižší (v závislosti na formátování, diskových oddílech, operačním systému, aplikacích a dalších faktorech) Rozhraní: Rozhraní SATA 6 Gb/s, kompatibilní s rozhraními SATA 3 Gb/s a SATA 1,5 Gb/s Rozměry (ŠXVXH): Max. 80,15 x max. 22,15 x max. 2,38 (mm) Váha: 6,8 g Storage Memory: 32vrstvá paměť 3D V-NAND Samsung Controller: Řadič MGX Samsung Cache Memory: Nízkonapěťová paměť 512 MB DDR3 SDRAM Samsung TRIM Support: Podpora TRIM S.M.A.R.T Support: Podpora S.M.A.R.T GC (Garbage Collection): Algoritmus pro automatický sběr informací o paměti Encryption Support: 256 bitové šifrování AES (třída 0), TCG / Opal, IEEE1667 (šifrovaný disk) WWN Support: Podpora adresy WWN (World Wide Name) Device Sleep Mode Support: Ano